TRANSISTOR MOSFET N-HEXFET 200V 9A TO220

TRANS N-HEXFET 200V 9A TO220

Descripción

• MOSFET, N, A-220
• Tipo de transistor: IC
• Máximo Voltaje Vds: 200V
• El Estado de Resistencia: 0.4ohm
• El RDS medición de tensión: 10V
• Potencia de disipación: 100W
• Transistor de Tipo de caja: A-220
• N ° de Pins: 3
• Tipo de caja Suplente: SOT-78B
• Tipo de caja: TO-220
• Id Cont. actual: 9A
• Temperatura actual: 25 ° C
• Full Power Rating Temperatura: 25 ° C
• Lead Spacing: 2.54mm
• Máximo Voltaje ° Vgs: 4V
• Tensión de Vgs th: 2V
• Número de Transistores: 1
• Sobre la resistencia del Estado @ Vgs = 10V: 0.4ohm
• Formato de pin: 1G, (2 + Tab) D, 3S
• Potencia de disipación Pd: 100W
• Pulso de corriente IDM: 36A
• Tipo de terminación: Agujero
• Transistor Polarity: N
• Tipo Ciss Capacitance: 540pF
• Tipo Reverse Recovery Time, trr: 170ns
• Tipo de tensión Vds: 200V
• Tipo de voltaje o Vgs: 3V
• Tensión Vgs Rds en medición: 10V