TRANSISTOR MOSFET P 100V 40A TO220AB 0.06Ω

HEXFETs de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio. Este beneficio, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que los MOSFET de potencia HEXFET son conocidos para, proporciona al diseñador con un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete de To-220 se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales a nivel de disipación de energía a alrededor de 50 vatios. La baja resistencia térmica y baja costo del paquete de la A-220 contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.