TRANSISTOR SI-PNP 350V 1A TO5

Transistor PNP

Descripción:

• El 2N5415, el silicio de alta tensión son 2N5416 epitaxial planar transistores PNP en Jedec A-39 carcasa metálica diseñada para su uso en los consumidores y línea industrial que funciona las aplicaciones.
• Estos dispositivos son especialmente adecuados como los conductores en de alta tensión inversores de poca intensidad, la conmutación y reguladores de la serie.

Especificaciones:

• VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) -350 V
• VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) -300 V
• Vebo Emisor-Base Voltage (IC = 0) -6 V
• IC Collector Current -1 A
• IB corriente de base -0,5 A
• Ptot total de disipación a Tc £  25 oC a 10 W
• Ptot total de disipación en Tamb £  50 oC 1 W
• Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 200 ° C
• TJ Max. Operating Junction Temperature 200 oC